第 1 层：基础矿产与高纯原料（产业最上游源头）
1. 高纯多晶硅 / 电子级硅料
作用：硅片制造的上游核心原料，需提纯至 99.9999% 及以上，制成单晶硅棒后切割为硅片，是所有硅基芯片的物质基础。
上游：高纯石英砂、碳电极、工业电力
下游：硅片制造商
国外公司：瓦克化学（德国）、OCI（韩国）、Hemlock（美国）
国内公司：通威股份、协鑫科技、隆基绿能（半导体级）
2. 高纯特种气体原料（液氧 / 液氮 / 稀有气体）
作用：通过空气分离、深度精制得到 5N 及以上高纯氮气、氧气、氩气、氦气等，用于芯片制程保护、吹扫、掺杂、沉积，原料纯度直接影响芯片良率。
上游：空气分离设备、天然气、煤化工
下游：电子特气企业
国外公司：空气化工、林德、液化空气
国内公司：杭氧股份、金宏气体（原料端）
3. 高纯金属靶材原料（高纯铜 / 钛 / 铝 / 钽）
作用：经电解、精炼制成 5N~6N 高纯金属坯料，再加工为溅射靶材，用于芯片金属布线、接触孔、电极制作。
上游：金属矿产、电解精炼工厂
下游：靶材制造企业
国外公司：日矿金属（日本）、霍尼韦尔（美国）、美国铝业
国内公司：有研新材、江丰电子（高纯坯）、东方钽业
第 2 层：硅基半导体材料（芯片核心基材与制程耗材）
1. 半导体硅片（12/8 英寸为主）
作用：芯片核心承载基底，晶体管与电路结构均制作于硅片表面；12 英寸为先进制程主流规格，大尺寸可有效摊薄制造成本、提升产能。
上游：高纯多晶硅、单晶硅棒
下游：晶圆代工企业
国外公司：信越化学（日本）、SUMCO（日本）、Siltronic（德国）
国内公司：沪硅产业、TCL 中环（中环领先）、立昂微
2. 光刻胶（EUV/ArF/KrF/g/i 线）
作用：芯片感光成像专用材料，均匀涂覆在硅片表面后，经曝光、显影将电路设计图案转移至硅片，EUV 光刻胶是 3nm、2nm 先进制程的关键配套材料。
上游：高纯化学品、光敏树脂、功能添加剂
下游：光刻机、晶圆代工环节
国外公司：JSR（日本）、东京应化（日本）、杜邦（美国）
国内公司：南大光电、彤程新材、上海新阳、晶瑞电材
3. 电子特种气体（硅烷 / 氨气 / 三氟化氮等）
作用：芯片掺杂、薄膜沉积、干法刻蚀、晶圆清洗的必备工艺介质，整体纯度要求达到 5N 以上，微量杂质就会造成芯片批量报废。
上游：高纯气体原料、气体纯化设备
下游：刻蚀设备、沉积设备、晶圆代工企业
国外公司：空气化工、林德、液化空气、关东电化（日本）
国内公司：华特气体、金宏气体、南大光电、杭氧股份
4. 溅射靶材（铜 / 铝 / 钛 / 钽 / 钨）
作用：借助物理溅射工艺，在硅片表面形成纳米级金属薄膜，用于制作电路连线、电极、阻挡层；7nm 及以下先进制程对靶材纯度、致密度要求极高。
上游：高纯金属坯料、精密加工设备
下游：薄膜沉积设备、晶圆代工企业
国外公司：日矿金属（日本）、霍尼韦尔（美国）、应用材料（美国）
国内公司：江丰电子、有研新材、阿石创、东方钽业
5. CMP 抛光液 / 抛光垫
作用：化学机械抛光核心耗材，可对硅片表面实现纳米级平坦化处理，消除光刻、刻蚀产生的表面高低差，是 7nm 及以下先进制程不可替代的材料。
上游：高纯研磨颗粒、化学试剂、高分子材料
下游：CMP 设备、晶圆代工企业
国外公司：Cabot（美国）、Fujimi（日本）、荏原（日本）
国内公司：安集科技、鼎龙股份、华海清科（抛光垫）
6. 光掩模
作用：芯片电路设计的物理底片，光刻机依托光掩模将微缩后的电路图案投射到光刻胶层，EUV 掩模是当前先进制程的核心技术壁垒之一。
上游：高纯石英基板、铬膜材料、电子束写入设备
下游：光刻机、晶圆代工企业
国外公司：HOYA（日本）、Toppan（日本）、DNP（日本）
国内公司：清溢光电、路维光电
7. 湿电子化学品（超纯试剂 / 显影液 / 蚀刻液）
作用：芯片全流程清洗、干法蚀刻、光刻显影专用高纯试剂，用于去除晶圆杂质、多余光刻胶与金属层，产品等级需达到电子级 UP/UP-S 标准。
上游：高纯化工原料、精馏纯化设备
下游：清洗设备、刻蚀设备、晶圆代工企业
国外公司：巴斯夫（德国）、关东电化（日本）、三菱化学（日本）
国内公司：上海新阳、晶瑞电材、江化微、巨化股份
第 3 层：化合物半导体材料（光芯片 / 射频 / 功率器件专用）
1. 化合物衬底（GaAs/InP/GaN/SiC）
作用：光芯片、射频芯片、功率半导体器件的核心基底，高频、高压、光电转换性能大幅优于硅材料；碳化硅、氮化镓也是 AI 服务器电源管理、新能源领域的关键材料。
上游：高纯镓、铟、硅碳原料、单晶生长设备
下游：光芯片、射频芯片、功率器件设计企业
国外公司：住友电工（日本）、IQE（英国）、Wolfspeed（美国）、ROHM（日本）
国内公司：三安光电、有研新材、天岳先进（SiC）、露笑科技（SiC）
2. 化合物外延片
作用：在化合物衬底表面生长单晶功能薄膜，直接决定光芯片发光效率、射频芯片工作频率、功率器件耐压能力，是 800G、1.6T 高速光模块的必备材料。
上游：化合物衬底、高纯源料、MOCVD 设备
下游：光芯片设计企业
国外公司：IQE（英国）、住友电工（日本）、Lumentum（美国）
国内公司：三安光电、光迅科技、源杰科技（外延）
第 4 层：半导体前道制程设备（芯片制造核心机床）
1. 光刻机（EUV/DUV/ArF）
作用：芯片制造核心工艺设备，将光掩模上的电路图案微缩后投影至硅片光刻胶表面；EUV 光刻机是 3nm、2nm 制程的唯一技术方案，单台设备造价高昂。
上游：超精密光学系统、精密机械、激光光源、超高真空系统
下游：晶圆代工企业、光刻胶、光掩模
国外公司：ASML（荷兰）、尼康（日本）、佳能（日本）
国内公司：上海微电子（DUV/i 线，无 EUV 产品）
2. 刻蚀机（干法 / 湿法）
作用：按照光刻成型的电路图案，原子级精准去除硅片多余材质，加工出晶体管沟槽、电路通孔等结构，设备精度直接决定芯片线宽。
上游：真空腔体、射频电源、气体控制系统
下游：晶圆代工企业、薄膜沉积设备、光刻工序
国外公司：应用材料（美国）、泛林半导体（美国）、东京电子（日本）
国内公司：中微公司、北方华创、屹唐半导体
3. 薄膜沉积设备（PECVD/ALD/Sputter）
作用：在硅片表面逐层沉积超薄均匀的导电膜、绝缘膜、半导体膜，搭建芯片多层立体结构；ALD 设备可实现原子级薄膜沉积，为 7nm 以下先进制程标配。
上游：真空系统、气体源、等离子体源、精密温控组件
下游：晶圆代工企业、刻蚀机、CMP 设备
国外公司：应用材料（美国）、东京电子（日本）、泛林半导体（美国）、爱发科（日本）
国内公司：拓荆科技、北方华创、中微公司、沈阳科仪
4. 离子注入机
作用：向硅片晶格内精准注入磷、硼、砷等杂质原子，改变局部导电特性，制作晶体管源极、漏极与阱区，离子能量和剂量控制精度决定芯片基础性能。
上游：离子源、粒子加速器、质量分析器、扫描系统
下游：晶圆代工企业、光刻设备、退火设备
国外公司：应用材料（美国）、Axcelis（美国）、Nissin（日本）
国内公司：北方华创、中科信、万业企业
第 5 层：半导体后道 / 量测 / 清洗设备（良率保障体系）
1. 清洗设备（湿法 / 干法）
作用：芯片全制程配套设备，去除晶圆表面微颗粒、有机物、金属杂质，每道工序前后均需清洗，微小杂质都会造成芯片失效，是保障良率的关键设备。
上游：超纯水、高纯化学品、超声波 / 兆声波发生器
下游：晶圆代工企业、光刻、刻蚀、沉积工序
国外公司：迪恩士（日本）、东京电子（日本）、Screen（日本）
国内公司：盛美半导体、至纯科技、北方华创
2. CMP 设备
作用：对完成多层布线的硅片做纳米级全局平坦化处理，消除层间高度差，保障后续光刻、刻蚀精度，是 7nm 及以下先进制程必备设备。
上游：抛光液、抛光垫、压力控制系统、旋转平台、清洗模块
下游：晶圆代工企业、薄膜沉积设备、光刻机
国外公司：应用材料（美国）、荏原（日本）、东京电子（日本）
国内公司：华海清科
3. 量测 / 检测设备（膜厚 / 线宽 / 缺陷 / 电子束检测）
作用：芯片全流程质量管控设备，实时检测薄膜厚度、电路线宽、工艺缺陷、套刻精度，是把控产品良率的核心环节。
上游：光学 / 电子光学系统、高精度运动平台、图像算法
下游：晶圆代工企业、光刻、刻蚀、沉积工序
国外公司：科磊 KLA（美国）、爱德万测试（日本）、日立高新（日本）
国内公司：精测电子、万业企业、睿励科学、中微公司
4. 涂胶显影设备
作用：与光刻机配套使用，完成光刻胶均匀涂覆、曝光后图案显影，涂胶厚度误差需控制在纳米级别，是光刻环节不可或缺的设备。
上游：光刻胶、精密涂布头、温控系统、洁净系统
下游：光刻机、晶圆代工企业
国外公司：东京电子（日本）、迪恩士（日本）、Screen（日本）
国内公司：芯源微
第 6 层：EDA 软件 + IP 核（芯片设计工具与标准化模块）
1. EDA 全流程软件
作用：芯片设计全流程必备工业软件，覆盖电路设计、仿真、验证、版图绘制、时序优化等环节，无 EDA 工具则无法完成高端芯片研发。
上游：算法、算力、集成电路设计经验
下游：芯片设计企业、晶圆代工企业、IP 核厂商
国外公司：新思科技 Synopsys（美国）、楷登电子 Cadence（美国）、西门子 EDA（德国）
国内公司：华大九天、概伦电子、广立微、芯原股份
2. IP 核（CPU/GPU/ 接口 / 存储 / 模拟）
作用：预先完成设计、经过验证的可复用电路模块，涵盖处理器内核、高速接口、存储单元等，可大幅缩短芯片研发周期、降低设计风险。
上游：EDA 工具、芯片设计技术、验证环境
下游：芯片设计企业、晶圆代工企业、终端产品厂商
国外公司：ARM（英国）、新思科技、楷登电子、Imagination（英国）
国内公司：芯原股份、龙芯中科、紫光国微、平头哥（阿里）
第 7 层：芯片设计（AI 算力核心载体）
7A 通用算力芯片（GPU/DCU/NPU/ 服务器 CPU）
1. AI 训练 GPU（高端）
作用：大模型训练的核心算力单元，具备超强并行计算能力，可承载千亿及以上参数模型的训练任务，是 AI 产业算力底座。
上游：EDA 软件、IP 核、先进制程工艺、HBM 高带宽内存
下游：AI 服务器、智算中心、大模型企业
国外公司：英伟达 NVIDIA、AMD、英特尔
国内公司：寒武纪、壁仞科技、燧原科技、摩尔线程
2. AI 推理 NPU/DCU
作用：面向 AI 模型落地部署，承担对话、内容生成、图像识别等推理任务，主打低功耗、高吞吐、高性价比，广泛应用于数据中心与边缘终端。
上游：EDA 软件、IP 核、成熟 / 先进制程、DDR 内存
下游：AI 服务器、边缘计算设备、终端产品、行业应用
国外公司：英伟达、AMD、谷歌 TPU、亚马逊 Inferentia
国内公司：海光信息、寒武纪、沐曦股份、景嘉微、华为昇腾
3. 服务器 CPU
作用：AI 服务器的控制与通用计算核心，负责设备调度、IO 交互、操作系统运行，保障整机与集群正常运转。
上游：EDA 软件、IP 核、先进制程、高速缓存
下游：AI 服务器、智算中心、云计算平台
国外公司：英特尔 Xeon、AMD EPYC
国内公司：海光信息、龙芯中科、飞腾信息、鲲鹏（华为）
7B 专用功能芯片（光 / 存储 / 交换 / 电源）
1. 高速光芯片（DFB/EML/PD/APD/ 硅光）
作用：实现电信号与光信号相互转换，是 800G、1.6T 高速光模块的核心元器件，支撑 AI 服务器集群低延迟高速互联。
上游：化合物外延片、光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备
下游：光模块、AI 服务器、数据中心、光纤通信设备
国外公司：博通（美国）、Lumentum（美国）、住友电工（日本）、三菱电机（日本）
国内公司：源杰科技、光迅科技、中际旭创（自研）、长光华芯（VCSEL）
2. 高端存储芯片（HBM/DDR5/LPDDR5）
作用：为 AI 芯片缓存模型参数与计算中间数据，HBM 高带宽内存带宽远超普通内存，可充分释放 GPU 算力。
上游：硅片、存储 IP 核、先进制程、TSV 键合工艺
下游：AI GPU、服务器、智算中心
国外公司：三星（韩国）、SK 海力士（韩国）、美光（美国）
国内公司：长鑫存储、兆易创新、紫光国微、澜起科技（接口）
3. 网络交换芯片（数据中心 / AI 集群）
作用：AI 算力集群的数据流调度核心，负责服务器、GPU 之间的数据转发与带宽分配，保障集群通信高速、低延迟。
上游：EDA 软件、IP 核、先进制程、SerDes 高速接口
下游：网络交换机、AI 服务器、智算中心
国外公司：博通、Marvell、英伟达（Mellanox）、思科
国内公司：盛科网络、紫光展锐、华为海思、中兴微
4. 电源管理芯片（PMIC）
作用：为 AI 板卡、GPU、主板提供稳压、电流调控、能效管理，在高负载工况下保障硬件稳定运行、降低整体功耗。
上游：EDA 软件、IP 核、模拟芯片工艺、功率器件
下游：AI 服务器、GPU 板卡、主板、终端设备
国外公司：TI（德州仪器）、ADI（亚德诺）、英飞凌、MPS
国内公司：圣邦股份、思瑞浦、纳芯微、芯朋微、全志科技
第 8 层：晶圆代工 + 先进封测（设计图纸落地为实体芯片）
8A 晶圆代工（前道制造）
1. 先进制程代工（3/5/7nm）
作用：依据芯片设计版图，规模化生产裸芯片，主要用于高端 AI GPU、服务器 CPU、高速光芯片等产品。
上游：硅片、光刻胶、半导体设备、EDA 软件、IP 核
下游：芯片设计企业、封测厂商、终端产品
国外公司：台积电（中国台湾）、三星（韩国）、英特尔（美国）
国内公司：中芯国际（14nm 量产，7nm 处于研发阶段）
2. 成熟制程代工（28/40/65nm）
作用：制程工艺成熟、产能充足、成本低廉，主要用于 AI 推理芯片、电源管理芯片、模拟芯片、物联网芯片等产品，是国内代工主力赛道。
上游：硅片、光刻胶、半导体设备、EDA 软件、IP 核
下游：芯片设计企业、封测厂商、工业、汽车、消费电子
国外公司：联电（中国台湾）、格芯（美国）、力积电（中国台湾）
国内公司：中芯国际、华虹公司、华润微、晶合集成
8B 封测（传统封测 + 先进封装）
1. 传统封测（DIP/SOP/QFN/BGA）
作用：完成晶圆切割、芯片键合、塑封、功能测试，实现芯片物理防护、引脚引出与基础散热，适配绝大多数成熟制程芯片。
上游：裸芯片、引线框架、塑封料、焊球
下游：终端产品、主板、模组、整机设备
国外公司：日月光 ASE（中国台湾）、安靠 Amkor（美国）
国内公司：长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技
2. 先进封装（Chiplet/2.5D/3D/HBM/CoWoS）
作用：实现多颗不同功能芯片异构集成、HBM 内存堆叠，缩短信号传输路径、提升带宽、降低功耗，是高端 AI 芯片、HBM 内存的必备工艺。
上游：裸芯片、TSV 工艺、封装载板、键合设备、测试设备
下游：AI 服务器、高端 GPU、HBM 内存、光模块
国外公司：台积电（CoWoS）、英特尔（Foveros）、三星（韩国）、日月光（中国台湾）
国内公司：长电科技、通富微电、华天科技、中科三环（载板）、深科技
第 9 层：高速硬件组件（算力互联传输载体）
1. 高速光模块（400G/800G/1.6T）
作用：集成光芯片与电芯片，完成光电信号转换，实现 AI 服务器、交换机之间低延迟、高带宽数据传输，800G 为当前主流规格，1.6T 产品逐步量产落地。
上游：光芯片、高速 PCB、连接器、DSP 芯片
下游：AI 服务器、网络交换机、智算中心
国外公司：Coherent（II-VI）、Lumentum、博通
国内公司：中际旭创、新易盛、光迅科技、剑桥科技、华工科技
2. 高速 PCB（服务器 / 光模块 / AI 板卡）
作用：AI 硬件核心承载板材，搭载芯片、光模块、各类连接器，搭建高速信号与电源传输通路，要求高层数、高精度、低信号损耗。
上游：铜箔、基板材料、覆铜板、钻孔、电镀设备
下游：AI 服务器、GPU 板卡、光模块、网络交换机
国外公司：迅达（美国）、旗胜（中国台湾）、欣兴电子（中国台湾）
国内公司：深南电路、生益科技、沪电股份、景旺电子、胜宏科技
3. 高速连接器 / 线缆（PCIe 5.0/6.0、QSFP-DD）
作用：实现 AI 板卡、服务器、交换机之间物理连接，支持 PCIe 5.0/6.0、800G/1.6T 光模块接口，具备低损耗、高可靠性、高密度特点。
上游：精密冲压件、镀金材料、注塑件、高速端子设计
下游：AI 服务器、GPU 板卡、光模块、网络交换机
国外公司：泰科 TE（美国）、安费诺（美国）、莫仕（美国）、广濑（日本）
国内公司：立讯精密、中航光电、鼎通科技、得润电子、电连技术
4. 高速 DSP/PHY 芯片（光模块 / 互联）
作用：光模块专用信号处理芯片，完成信号放大、均衡、编解码、时钟恢复，降低传输误码率，是 800G、1.6T 高速传输的关键器件。
上游：EDA 软件、IP 核、先进制程、高速电路设计
下游：光模块、AI 服务器、网络交换机、光纤通信设备
国外公司：博通、Marvell、英伟达、Semtech（美国）
国内公司：紫光展锐、华为海思、中兴微、澜起科技
第 10 层：AI 服务器整机（算力硬件最终载体）
1. AI 训练服务器（8/16 GPU 高密度机型）
作用：面向大模型训练设计的专用整机，搭载 8~16 张高端 GPU，配备大功率供电、强散热系统与高速互联架构，单台设备造价高昂。
上游：GPU、CPU、内存、光模块、PCB、连接器、电源、散热组件
下游：智算中心、云计算厂商、大模型企业、科研机构
国外公司：戴尔 Dell、惠普 HPE、超微 Supermicro、英伟达（DGX）
国内公司：浪潮信息、紫光股份、华为 TaiShan、中兴通讯、宁畅信息
2. AI 推理服务器（低功耗高密度机型，2–4 GPU）
作用：面向 AI 模型线上推理、业务部署，搭载 2~4 张推理芯片，主打低功耗、高吞吐、高性价比，大规模应用于公有云、行业场景、边缘计算。
上游：推理 GPU、CPU、内存、存储、电源、散热、机箱
下游：云计算平台、企业 AI 应用、边缘计算、终端服务
国外公司：戴尔、HPE、超微、英伟达、联想（国际）
国内公司：浪潮信息、紫光股份、华为、中兴通讯、宝德计算、神州数码
3. 服务器主板 / 背板 / 机箱
作用：AI 服务器骨架与信号中枢，承载 CPU、GPU、内存、硬盘等核心部件，搭建稳定的信号与电源通路，要求高精密、强散热、高可靠性。
上游：高速 PCB、连接器、电源模块、散热组件、钣金材料
下游：服务器整机、ODM 厂商、系统集成商
国外公司：超微、广达（中国台湾）、仁宝（中国台湾）、纬创（中国台湾）
国内公司：浪潮信息、紫光股份、英业达（重庆）、富士康（大陆）、深南电路
第 11 层：数据中心基础设施（算力集群底层配套）
1. 液冷 / 风冷散热系统（GPU 高功耗专用）
作用：针对高功耗 AI 服务器散热设计，液冷散热效率显著高于传统风冷，可保障设备 7×24 小时连续稳定运行，同时降低机房整体能耗。
上游：冷板、冷却液、水泵、换热器、智能监控系统
下游：AI 服务器、智算中心、商用数据中心、机房
国外公司：冷王（美国）、施耐德（法国）、Vertiv（美国）
国内公司：英维克、高澜股份、佳力图、冰轮环境、曙光数创
2. 高压直流 UPS / 电源系统（集群供电）
作用：为 AI 算力集群提供稳定供电与断电保护，高压直流供电效率优于传统 UPS，可实现毫秒级电源切换，保障业务零中断。
上游：整流模块、电池组、监控设备、配电组件、防雷器件
下游：AI 服务器、智算中心、商用数据中心、机房
国外公司：施耐德、台达（中国台湾）、光宝（中国台湾）、艾默生（美国）
国内公司：科士达、科华数据、易事特、盛弘股份、英威腾
3. 服务器机柜 / 微模块（高密度部署）
作用：实现 AI 服务器标准化、高密度部署，微模块集成机柜、电源、散热、监控功能，支持算力集群快速搭建与统一运维管理。
上游：钣金材料、喷涂工艺、理线架、PDU 电源、监控传感器
下游：智算中心、商用数据中心、机房、算力租赁平台
国外公司：施耐德、维帝（美国）、HPE、戴尔
国内公司：英维克、佳力图、科华数据、曙光数创、光环新网
4. 高速布线 / 母线 / 铜排（机房互联）
作用：承担机房内部机柜之间、设备之间的高速信号传输与大电流电力输送，母线、铜排可承载数千安培电流，配套线缆满足 800G、1.6T 高速互联需求。
上游：高纯铜材、绝缘材料、连接器、精密加工件
下游：智算中心、商用数据中心、机柜、服务器、交换机
国外公司：泰科 TE、安费诺、施耐德、西门子
国内公司：立讯精密、中航光电、鼎通科技、长缆科技、中天科技
第 12 层：算力平台 + 数据 + 软件框架（算力应用赋能层）
1. 云计算 / 算力租赁平台（IaaS/PaaS）
作用：整合大规模服务器集群，对外按需出租 GPU 算力，企业与开发者无需自建机房，即可开展模型训练、AI 业务开发，是模型即服务（MaaS）的基础。
上游：AI 服务器、数据中心、网络设备、存储系统、运维服务
下游：大模型企业、AI 开发者、企业级 AI 应用、行业解决方案
国外公司：AWS（亚马逊云）、GCP（谷歌云）、Azure（微软云）、Oracle Cloud
国内公司：阿里云、腾讯云、华为云、百度智能云、天翼云
2. AI 软件框架（训练 / 推理）
作用：大模型开发底层工具，提供深度学习函数库、算子优化、分布式训练、推理加速能力，降低 AI 研发门槛、提升模型开发与运行效率。
上游：GPU 硬件、驱动程序、编译器、算法库
下游：大模型企业、AI 开发者、企业 AI 项目、科研机构
国外公司：TensorFlow（谷歌）、PyTorch（Meta）、JAX（谷歌）、MXNet（亚马逊）
国内公司：百度飞桨（PaddlePaddle）、华为 MindSpore、字节跳动 BytePS、旷视 MegEngine
3. 大数据 / 训练数据服务（清洗 / 标注 / 合规）
作用：为大模型提供文本、图像、视频等多元化训练数据，完成数据采集、清洗、标注、脱敏与合规审核，数据质量直接决定大模型最终效果。
上游：全网原始数据、行业场景数据、合规审核体系
下游：大模型企业、AI 模型训练、模型微调、行业专用模型
国外公司：Labelbox、Scale AI、Amazon Mechanical Turk、Google Dataset Search
国内公司：海天瑞声、标贝科技、云从科技、百度众测、阿里众包
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